8 月 4 日，美国加州圣克拉拉。SK 海力士和闪迪在 FMS 2026 闪存峰会上，联合发布了一项叫 HBF 的新技术标准。
如果把它理解为又一颗新芯片，就低估了这件事的分量。
HBF 的全称是高带宽闪存——一个介于 HBM（高带宽内存）和 SSD（固态硬盘）之间的全新存储层级。
三条战线
过去两年，AI 基建投资催生出两条明确的存储战线：第一战线 HBM，韩国三巨头垄断，中国厂商长鑫科技在追；第二战线 NAND 闪存，长江存储靠自研 Xtacking 架构杀进了全球前四。
HBF 的出现，意味着第三条战线正在开辟。而这一次，主导标准的仍然是韩国公司和美国公司。
长江存储能不能在这条新战线上拿到一张入场券？
在解释 HBF 之前，需要先理解存储行业正在发生的结构性变化。
全球存储芯片市场分为两个大类。一类是 DRAM，俗称内存，断电后数据消失，但速度快——电脑里的 DDR5 内存条、手机里的 LPDDR5X 都属于这一类。另一类是 NAND 闪存，断电后数据保留，用在 SSD 硬盘、手机存储上。
AI 算力需求的爆发，让这两种存储的战争格局各自展开。
第一条战线是 HBM。它本质上是把多层 DRAM 芯片垂直堆叠在一起，用硅通孔技术实现高速互联，再跟 GPU 紧贴封装。HBM 的带宽是传统 DDR5 的 10 倍以上，是大模型训练和推理的 " 快车道 "。
这个赛道目前被三星、SK 海力士、美光三家垄断，合计掌控全球几乎全部供应。TrendForce 数据显示，SK 海力士以约 52% 的份额领跑，三星约 39%，美光约 9%。
中国这边的追赶者是长鑫科技。它已经在 7 月 27 日登陆科创板，IPO 募资 295 亿元，首日涨幅超过 460%，市值一度冲到 A 股第一。根据多家媒体的报道，长鑫已向华为交付 16nm HBM3 样品，计划 2026 年内量产。但行业普遍判断，它在 HBM 上落后头部厂商约 3 到 4 年。
第二条战线是 NAND 闪存。这个领域的竞争格局正在被一家中国公司改写。
长江存储凭借自主研发的 Xtacking 架构——把存储单元和外围电路分别做在两片晶圆上，再用铜混合键合技术精密贴合——绕开了最尖端光刻机的限制。2026 年第一季度，长江存储的全球 NAND 市场份额从一年前的 8% 跃升至 13%，追平了美光和西部数据。它的 294 层 3D NAND 已实现量产，良率突破 90%。
Counterpoint Research 的分析师 MS Hwang 的判断是，长江存储正在获得份额，" 因为他们有别人缺乏的产能 "。更令韩国业界震动的细节是，2025 年初，长江存储反向授权三星混合键合技术专利——中国芯片企业首次向韩国巨头收取专利费。
长江存储的 IPO 已经在路上。5 月 19 日在湖北证监局完成辅导备案，中信证券和中信建投联合辅导，最快可能在 8 月完成辅导验收。市场预估其上市后市值为 5000 亿至 8000 亿元量级。
现在，第三条战线出现了。
HBF，到底解决什么问题
AI 产业正在从大模型训练转向大规模推理部署。训练阶段，数据量固定，对 HBM 的高带宽需求是刚性的。推理阶段不一样——成百上千万用户同时提问，模型参数、上下文缓存、用户数据全部需要实时存取。既要快，又要大，还得便宜。
HBM 能满足 " 快 "，但贵且容量小，单栈只能做到几十 GB。SSD 能满足 " 大 " 和 " 便宜 "，但带宽不够，会成为 AI 推理的性能瓶颈。
HBF 的思路很直接：用做 NAND 闪存的方法堆叠芯片，但借鉴 HBM 的高速互联方案。结果是一种 "NAND 版的 HBM" ——带宽接近 HBM、容量是 HBM 的 8 到 16 倍、成本大幅降低。
根据 8 月 4 日发布的标准规范，HBF 采用 8 层或 16 层 NAND 芯片堆叠，最高支持 512GB 容量。带宽分为三个等级，覆盖约 0.4TB/s 到 3.0TB/s。接口采用行业通用的 UCIe 标准，意味着它可以灵活连接 GPU、CPU 等不同类型的处理器。
在全球最大开放数据中心合作组织 OCP 的框架下，整套规范已向全行业免费开放。
定位很明确：夹在 HBM 和 SSD 之间，做 AI 推理的 " 高速缓存层 "。TrendForce 的判断是，HBF 是 HBM 的 " 互补技术而非竞争对手 "，长期架构将是 HBM 负责超高速计算、HBF 负责高密度数据存储，形成混合内存层级。
日本瑞穗证券在 5 月的一份报告中也提到，HBF 需求增长可能推动 2027 年 NAND 价格再涨约 50%。
产业链的时间表已经开始推进。闪迪计划 2026 年下半年推出 HBF 原型，日本被列为首选生产基地，2027 年目标商业化。三星已启动自研 HBF 方案，计划在未来 2 年内集成到英伟达、AMD 和谷歌的 AI 产品中。铠侠也在开发基于菊花链连接技术的自研方案。
但有一个关键玩家还没表态——英伟达。
作为全球 AI 芯片的绝对主导者，英伟达是否在自己的硬件生态中拥抱 HBF，将直接决定这个新标准的产业渗透速度。截至目前，英伟达尚未对 HBF 标准发布任何公开评论。
长江存储的牌
从技术路径看，HBF 是 NAND 闪存技术的延伸。这就引出一个直接的问题：长江存储能不能上桌？
先看它的技术底牌。
长江存储的 Xtacking 架构，核心思路是把 NAND 的存储单元和外围逻辑电路分开制造，再通过铜混合键合精密贴合。这个技术路线有一个天然的延伸优势——混合键合本身就是 HBF 封装的核心工艺之一。
北京国际工程咨询公司在今年发布的一份产业研究报告中，给出了一个明确的判断：中国在 HBM 领域不具备高端生产能力且短期难以追赶，但在 HBF 领域，" 长江存储在 3D NAND 堆叠、混合键合等核心工艺上具备自主可控的技术基础，可依托现有技术路线及完整供应链布局 HBF，避开 HBM 专利与工艺短板，实现换道超车。"
在线股票配资换道超车。这个措辞在官方研究报告中并不常见。
根据 The Buildout 今年早些时候引用的一份联合研究论文，长江存储已经在利用 Xtacking 架构开发 HBF 技术，目标是通过 2.5D 和 3D 封装将 3D NAND 直接集成到 GPU 和 AI 加速器上。该论文指出，长江存储在混合键合方面的大规模量产经验，" 有助于减少信号延迟和功耗 "。
从产能角度看，长江存储的扩产也在加速。武汉现有两座工厂月产能约 20 万片，第三座工厂预计 2026 年底投产，2027 年全面量产后总月产能将达 30 万片。
但牌面之外，也有明显的限制条件。
能不能上桌，取决于两件事
第一，地缘政治的开放度。
HBF 标准虽然通过 OCP 向全行业免费开放，但联盟的核心推手是 SK 海力士（韩国）和闪迪（美国），目前的生态伙伴 Google DeepMind 和 Tenstorrent 也都是美国公司。
长江存储自 2022 年被列入美国实体清单以来，始终面临先进半导体设备的出口管制。它无法获取 300 层以上 NAND 的核心制造设备，而 HBF 的技术路线本身就在向更高层数堆叠演进—— SK 海力士今天在 FMS 上同步展出了 375 层 4D NAND。
标准是开放的，但设备不是。这是长江存储面临的最现实约束。
第二，英伟达的路线选择。
8 月 6 日，FMS 峰会将有一场重磅圆桌：SK 海力士副社长林羲哲、Google DeepMind 研究员、闪迪副社长将讨论 "HBF 如何突破内存墙 "。英伟达没有出现在这个名单上。
如果英伟达最终选择拥抱 HBF，AI 存储架构将面临一轮根本性重构——那对于手握 NAND 技术但被排除在 HBM 生态之外的中国厂商来说，是一个机会窗口。如果英伟达走自己的封闭路线，或者干脆不采用 HBF 架构，那这个新标准的产业动能将大打折扣。
在英伟达表态之前，HBF 的商业化前景只能打一个问号。
摩根士丹利亚洲及欧洲科技研究主管 Shawn Kim 在 7 月的一份报告中警告，AI 驱动的存储行业 " 超级周期 " 正在接近拐点，内存合约价格可能在 2026 年第四季度见顶，存储厂商的盈利上修率已从 92% 的峰值降至 77%。
但他同时判断，这轮周期会 " 延长 " 而非 " 崩溃 " —— HBM 的供给硬约束和持续的 AI 资本开支仍然是核心支撑。
长多还是短多，大摩没有给终极答案。
收束
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HBF 标准今天刚刚落地，距离真正商用至少还有一到两年。长江存储能不能在这个新战场上拿到入场券，现在还无法给出简单的是或否。
有几点是相对确定的。
第一，HBF 的技术底座是 NAND，长江存储在这条赛道上已经证明了自己的技术能力。Xtacking 架构、294 层量产、混合键合的大规模制造经验，都是实实在在的筹码。
标准是开放的，但产业链不是。出口管制仍然是横在长江存储和高端制程之间的一道墙。
英伟达才是那个真正能 " 翻牌 " 的玩家。它选择拥抱还是绕过 HBF，将改写这场存储战争的棋盘。
对于正在冲刺 IPO 的长江存储来说，HBF 是一个潜在的加分项——但如果地缘政治的变量朝着不利方向演进，它也可能变成一个无法变现的想象空间。
存储第三条战线已经开打。中国公司到底能不能上桌私募投资信息门户，可能需要等到长江存储的招股书披露、英伟达的技术路线明朗之后，才能看得更清楚。
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